2021北京理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)專業(yè)研究生考試大綱 正文

887 電子科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)
1． 考試內(nèi)容
（1）電子技術(shù)基礎(chǔ)部分
    主要包括二極管、三極管的結(jié)構(gòu)、特性及主要參數(shù)；掌握飽和、放大、截止的基本概念和條件。晶體管放大電路的組成和工作原理。掌握?qǐng)D解分析法和等效模型分析法。掌握放大電路的三種組態(tài)及性能特點(diǎn)。電路的三種耦合方式及特點(diǎn)。反饋的基本概念：正、負(fù)反饋；電壓、電流、串聯(lián)、并聯(lián)負(fù)反饋；掌握反饋類型和極性判斷，引入負(fù)反饋對(duì)放大性能的影響。比例、加減、微積分線性運(yùn)算電路。一般了解對(duì)數(shù)、指數(shù)運(yùn)算電路的工作原理及一階、二階有源濾波器的電路組成、頻率特性。了解產(chǎn)生自激振蕩的條件。掌握電壓比較器，用電壓比較器組成的非正弦發(fā)生電路。掌握邏輯代數(shù)的基本公式、基本規(guī)則；邏輯代數(shù)的表示方法及相互轉(zhuǎn)換。掌握各種門的邏輯符號(hào)、功能、特點(diǎn)、使用方法。正確理解TTL門和CMOS門電路的結(jié)構(gòu)、工作原理。
（2）電磁場(chǎng)理論部分
    主要考察考生對(duì)電磁理論基本內(nèi)容的理解和掌握程度，以及靈活應(yīng)用知識(shí)的能力。試卷命題對(duì)大綱內(nèi)容有覆蓋性和廣泛性，題型主要包括概念題、計(jì)算題和證明推導(dǎo)題。應(yīng)掌握的基本內(nèi)容為：①矢量分析：三種常用坐標(biāo)系內(nèi)的梯度、散度和旋度的運(yùn)算、幾種重要矢量場(chǎng)的定義和性質(zhì)；②靜電場(chǎng)：庫(kù)侖定律、電場(chǎng)與電場(chǎng)強(qiáng)度、高斯定律、靜電場(chǎng)的環(huán)路定律、電位和電位差、電位的泊松方程和拉普拉斯方程、電偶極子、電介質(zhì)中的靜電場(chǎng)、靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體、電場(chǎng)能量與靜電力；③恒定電場(chǎng)和電流：恒定電流場(chǎng)的基本定律、歐姆定律和焦耳定律、恒定電流場(chǎng)的邊界條件、恒定電流場(chǎng)與靜電場(chǎng)的類比；④恒定磁場(chǎng)：安培磁力定律和畢奧---沙伐定律、恒定磁場(chǎng)的基本定律、矢量磁位和標(biāo)量磁位、磁偶極子、磁介質(zhì)中恒定磁場(chǎng)基本定律、磁介質(zhì)的邊界條件；⑤靜態(tài)場(chǎng)的邊值問題：拉普拉斯方程的分離變量法、鏡象法、有限差分法；⑥電磁感應(yīng)：法拉第電磁感應(yīng)定律、電感、磁場(chǎng)的能量；⑦時(shí)變電磁場(chǎng)：位移電流和推廣的安培回路定律、麥克斯韋方程組、正弦電磁場(chǎng)、媒質(zhì)的色散與損耗、坡印廷定理、電磁場(chǎng)的波動(dòng)方程、標(biāo)量位和矢量位、時(shí)變電磁場(chǎng)的邊界條件；⑧平面電磁波：理想介質(zhì)中的均勻平面電磁波、電磁波的極化、有耗媒質(zhì)中的均勻平面電磁波、理想媒質(zhì)界面上電磁波的反射和折射、全折射和全反射；⑨導(dǎo)行電磁波：矩形波導(dǎo)管中的電磁波、TE10模電磁波、波導(dǎo)中的能量傳輸與損耗、傳輸線上的TEM波、諧振腔；⑩電磁波輻射：赫芝偶極子輻射、磁偶極子天線的輻射、線天線、天線的方向性系數(shù)和增益。
（3）半導(dǎo)體物理部分
主要包含半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)；半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶、電子的運(yùn)動(dòng)，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)、空穴，回旋共振，硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)，硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)、缺陷、位錯(cuò)能級(jí)；半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)、載流子濃度的計(jì)算，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體；載流子的位移與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，載流子的散射、遷移率、電阻率、強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子、多能谷散射，耿氏效應(yīng)；非平衡載流子的注入，復(fù)合壽命，費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，載流子的遷移運(yùn)動(dòng)，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程；PN結(jié)的伏安特性，PN結(jié)電容，擊穿；金屬和半導(dǎo)體的接觸的理論，少子的注入與歐姆接觸；表面態(tài)，表面場(chǎng)效應(yīng)，C-V特性，表面電場(chǎng)對(duì)PN結(jié)特性的影響；半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)，光電性質(zhì)，發(fā)光現(xiàn)象，半導(dǎo)體激光器；半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)，溫差電動(dòng)勢(shì)率，熱電效應(yīng)及其應(yīng)用；半導(dǎo)體磁效應(yīng)和壓阻效應(yīng)。
（4）光電子學(xué)部分
   主要包含光波在均勻介質(zhì)中的傳播特性，光波在各項(xiàng)異性介質(zhì)中的傳播特性，光波的偏振特性，光波的衍射和干涉特性，高斯光束的傳播特性，激光的速率方程，激光增益介質(zhì)的加寬特性。
2． 考試要求
（1） 電子技術(shù)基礎(chǔ)部分要求全部考生必做；
（2） 電磁場(chǎng)理論部分（A）要求報(bào)考02 電磁仿真與天線、03 毫米波太赫茲技術(shù)與系統(tǒng)方向考生必做；
（3） 半導(dǎo)體物理部分（B）要求報(bào)考04 微電子與集成電路方向考生必做；
（4） 光電子學(xué)部分（C）要求報(bào)考06 微納光電子學(xué)與激光光電子學(xué)方向考生必做；
（5） 報(bào)考其他方向考生可任選A或B。
3． 題型及分值安排
(1)  題型:簡(jiǎn)答題和計(jì)算題。簡(jiǎn)答題包含概念題和重要數(shù)學(xué)公式及其物理意義，計(jì)算題包含數(shù)學(xué)模型、重要物理量計(jì)算、設(shè)計(jì)等。
(2)  分值安排：簡(jiǎn)答題占40%，計(jì)算題占60%。
參考書目
(1)模擬電路基礎(chǔ)；(2)半導(dǎo)體物理學(xué)；(3)電磁場(chǎng)理論基礎(chǔ)；(4) 物理光學(xué)；（5）激光原理。 (1)北京理工大學(xué)出版社；(2)國(guó)防工業(yè)出版社；(3)北京理工大學(xué)出版社；（4）華中科技大學(xué)出版社；（5）國(guó)防工業(yè)出版社。(1)吳丙申，卞祖富；(2)劉恩科，朱秉升，羅晉生等；(3)陳重，崔正勤；（4）竺子民；（5）周炳琨。 (1)1997；(2)1994；(3)2003；（4）2010；（5）2000。
 

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