個人簡介
王偉（1964年5月－），男，副教授。畢業(yè)于東南大學，獲生物醫(yī)學工程專業(yè)工學博士學位?，F(xiàn)在南京郵電大學電子科學與 工程學院從事納電子器件的科研教學工作，主要研究方向是納電子器件量子輸運的建模仿真。現(xiàn)主持一項江蘇省高校自然科學研究面上項目“Graphene- based新型自旋場效應管研究（No 10KJD510006）”，另外，作為主要參加者參與一項江蘇省高校自然科學研究面上項目“新型石墨烯材料結構及量子自旋霍爾效應研（No 10KJD510005）”。近年來，在國內外學術刊物上發(fā)表論文30余篇, 其中包括IEEE Transactions on Electron Devices，Solid State Electronics，Superlattices and Microstructures等國際核心期刊。

研究方向及主要成果
研究方向：納電子學，圖像處理

近期發(fā)表的主要學術論文
[1]Wei Wang, Ning Gu, J.P. Sun , and P. Mazumder. Gate Current Modeling of High-k Stack Nanoscale MOSFETs. Solid State Electronics 2006, 50(9) :1489-1494. （Sci, Ei收錄）
[2]Wei Wang, Jianhui Liao, Jianping Sun, and Ning Gu. Simulation of the electrical characteristics of a one-dimensional quantum dot array. Superlattices and Microstructures, 2008,44 (6): 721-727. （Sci, Ei收錄）
[3]J. P. Sun, Wei Wang, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of Gate Current and Capacitance in Nanoscale-MOS Structures, IEEE Transactions on Electron Devices 2006, 53(12): 2950-2957. （Sci, Ei收錄）
[4]Wang Wei , Sun Jianping, and Gu Ning. Modeling of Gate Tunneling Current for Nanoscale MOSFETs with High-k Gate Stacks, Chinese Journal of Semiconductors , 2006, 27(7) :1170-1176. （Ei收錄）
[5]Wei Wang, J. P. Sun, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of high-k gate stack of tunnel barrier in nonvolatile memory MOS structure, IEEE nano 2008, 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008: 3-5. （Ei收錄）
[6]王偉, 黃嵐, 張宇, 李昌敏, 張海黔, 顧寧, 沈浩瀛, 陳堂生, 郝麗萍, 彭力, 趙麗新. 用分子自組裝技術制備的單電子器件的Monte Carlo 模擬. 物理學報, 2002, 51(1): 63-67.（Sci, Ei收錄）
[7]王偉, 張海黔, 顧寧. 隨機背景極化電荷對單電子電路影響的分析.固體電子學研究與進展, 2003, 23(1): 14-17.（Ei收錄）
[8]王偉, 孫建平, 顧寧. 基于氧化鉿的柵介質納米MOSFET柵電流模型. 固體電子學研究與進展, 2006, 26(4): 436-440. （Ei收錄）
[9]王偉, 孫建平, 徐麗娜 ，顧寧. 減少納米MOS器件柵電流的研究分析. 電子器件, 2006, 29(3): 617-619. （Ei收錄）
[10]王偉, 孫建平,顧寧. 納米級MOSFET隧穿柵電流量子模型. 微電子學. 2006, 36(5): 622-625.
[11]王偉, 孫建平, 顧寧. 納米雙柵MOSFET的量子格林函數(shù)模擬. 東南大學學報, 2006, 36(6): 917-919. （Ei收錄）
[12]王偉，孫建平，顧寧. 高k介質納米MOSFET柵電流和電容模型. 南京郵電大學學報, 2006, 26(6): 6-10. （Ei收錄）
[13]王偉, 孫建平,顧寧. 納米MOS器件柵泄漏電流的模擬分析，第十五屆全國半導體集成電路、硅材料學術會議論文集，2007: 740-742.
[14]王偉，廖建輝，孫建平，顧寧. 一維納米顆粒鏈電學特性的格林函數(shù)模擬，2007納米和表面科學與技術全國會議論文集，2007: 79-79.
[15]王偉. 納米MOS 器件的設計模型. 電氣電子教學學報, 2006, 28(10): 57-60.

聯(lián)系方式
移動電話：13390799801
單位電話：025-85866408
Email ： wangwej@njupt.edu.cn

*如果發(fā)現(xiàn)導師信息存在錯誤或者偏差，歡迎隨時與我們聯(lián)系，以便進行更新完善。 聯(lián)系方式>>