個人簡介
王海云，女，2005年畢業(yè)于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)近代物理系核與粒子物理專業(yè)，獲理學(xué)博士學(xué)位。在讀期間，專攻的方向為寬禁帶半導(dǎo)體的缺陷研究。

研究方向及主要成果
研究方向：利用正負電子湮沒技術(shù)研究寬禁帶半導(dǎo)體近表面的缺陷演變。
其中主要成果為：
其中第一作者:Al/GaSb Contact with Slow Positron Beam，Chinese Journal of Chemical Physics，2006，19（2）：169-172(SCI)
Defect Characterization of 6H-SiC Studied by Slow Positron Beam，Chinese Journal of Chemical Physics ，2008，21（4）：333-338 (SCI) 1
GaN/SiC異質(zhì)結(jié)的慢正電子研究 物理學(xué)報，2008，57（9）：5906-5910(SCI)
6H-SiC γ輻照的正電子研究 南郵學(xué)報，2008. 28(6):34-36 (EI)
第二作者： Lowest Landau level scaling of the fluctuation conductivity for RFeAsO (R = Nd, Pr, Sm) superconductors，Physics Letters A, 2010, 374: 3529–3532, (SCI)
Paraconductivity of doped LaOFeAs superconductors Solid State Communications, 2011, 151: 1–4, (SCI)

參加項目：
寬禁帶半導(dǎo)體的缺陷研究（NY207010），南京郵電大學(xué)攀登計劃項目 2007.3-2008.12 主持
用于高分辨率全彩色微型顯示器的聚合物發(fā)光器件（60706017） 國家自然科學(xué)基金資助項目 2008.1-2010.12 參與
低維系統(tǒng)中關(guān)聯(lián)無序效應(yīng)對電子態(tài)的影響（10904070）國家自然科學(xué)基金資助 2010.01-2012.12 參與

聯(lián)系方式
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