微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)博士研究生培養(yǎng)方案（080903）

 

（通信與電子工程學(xué)院電子工程系）

 

一、培養(yǎng)目標(biāo)

 

本專業(yè)培養(yǎng)堅(jiān)持黨的四項(xiàng)基本原則，德、智、體全面發(fā)展、自覺地為社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)服務(wù)，具有廣博的科技知識(shí)和堅(jiān)實(shí)的微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)、扎實(shí)地掌握其基本理論、研究方法，全面了解該領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)向，在微電子學(xué)與固體電子學(xué)的某研究方向上有深入的專門知識(shí)，有較強(qiáng)的科技創(chuàng)新能力和一定的綜述、寫作能力，熟練地掌握計(jì)算機(jī)技術(shù)和一門以上外國(guó)語，能獨(dú)立地從事該領(lǐng)域的微/納米電子材料與器件和集成電路與微系統(tǒng)的教學(xué)、科研和高新技術(shù)開發(fā)工作，做出創(chuàng)造性成果的德、智、體全面發(fā)展的高層次專門人才。

 

二、培養(yǎng)方式與學(xué)習(xí)年限

 

（一）培養(yǎng)方式

 

導(dǎo)師負(fù)責(zé)制與導(dǎo)師小組指導(dǎo)相結(jié)合。鼓勵(lì)、支持和推動(dòng)跨學(xué)科、跨專業(yè)的培養(yǎng)方式，在需要和可能的前提下，也可采取和國(guó)內(nèi)外同行學(xué)者或?qū)W術(shù)單位聯(lián)合培養(yǎng)的方式。

 

（二）學(xué)習(xí)年限

 

博士研究生學(xué)習(xí)年限一般為四年，最長(zhǎng)不應(yīng)超過六年。

 

三、研究方向

 

1、新型傳感材料與器件

 

2、半導(dǎo)體器件與工藝

 

3、VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)

 

4、智能感知系統(tǒng)

 

5、MEMS技術(shù)

 

6、微納光子器件與系統(tǒng)

 

  

 

  

 

微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)碩博連讀研究生培養(yǎng)方案（080903）

 

（通信與電子工程學(xué)院電子工程系） 

 

一、培養(yǎng)目標(biāo) 

 

本專業(yè)培養(yǎng)堅(jiān)持黨的四項(xiàng)基本原則，德、智、體全面發(fā)展、自覺地為社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)服務(wù)，具有廣博的科技知識(shí)和堅(jiān)實(shí)的微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)、扎實(shí)地掌握其基本理論、研究方法，全面了解該領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)向，在微電子學(xué)與固體電子學(xué)的某研究方向上有深入的專門知識(shí)，有較強(qiáng)的科技創(chuàng)新能力和一定的綜述、寫作能力，熟練地掌握計(jì)算機(jī)技術(shù)和一門以上外國(guó)語，能獨(dú)立地從事該領(lǐng)域的微/納米電子材料與器件和集成電路與微系統(tǒng)的教學(xué)、科研和高新技術(shù)開發(fā)工作，做出創(chuàng)造性成果的德、智、體全面發(fā)展的高層次專門人才。

 

二、培養(yǎng)方式與學(xué)習(xí)年限

 

（一）培養(yǎng)方式

 

碩博連讀研究生的培養(yǎng)分為兩個(gè)階段：

 

第一階段，以課程學(xué)習(xí)為主，時(shí)間一般為一至二年。以資格考試或綜合考核的結(jié)果作為能否進(jìn)入第二階段的依據(jù)。

 

第二階段，通過資格考試或綜合考核的研究生可進(jìn)入科學(xué)研究和撰寫博士學(xué)位論文階段，享受博士研究生待遇，時(shí)間一般為三到四年；未通過資格考試的（包括自愿不參加博士生資格考試），可按照同專業(yè)碩士研究生的培養(yǎng)要求繼續(xù)進(jìn)行培養(yǎng)，時(shí)間一般為一到二年。

 

碩博連讀研究生的培養(yǎng)實(shí)行導(dǎo)師指導(dǎo)和指導(dǎo)小組集體培養(yǎng)相結(jié)合的方式。

 

（二）學(xué)習(xí)年限

 

碩博連讀研究生學(xué)習(xí)年限一般為五年至六年。若在五年內(nèi)不能完成預(yù)定的學(xué)業(yè)，可適當(dāng)延長(zhǎng)學(xué)習(xí)年限，但一般不超過六年。

 

三、研究方向

 

1、新型傳感材料與器件

 

2、半導(dǎo)體器件與工藝

 

3、VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)

 

4、智能感知系統(tǒng)

 

5、MEMS技術(shù)

 

6、微納光子器件與系統(tǒng)

 

  

 

  

 

微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)本科直博研究生培養(yǎng)方案（080903）

 

（通信與電子工程學(xué)院電子工程系） 

 

一、培養(yǎng)目標(biāo)

 

本專業(yè)培養(yǎng)堅(jiān)持黨的四項(xiàng)基本原則，德、智、體全面發(fā)展、自覺地為社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)服務(wù)，具有廣博的科技知識(shí)和堅(jiān)實(shí)的微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)、扎實(shí)地掌握其基本理論、研究方法，全面了解該領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)向，在微電子學(xué)與固體電子學(xué)的某研究方向上有深入的專門知識(shí)，有較強(qiáng)的科技創(chuàng)新能力和一定的綜述、寫作能力，熟練地掌握計(jì)算機(jī)技術(shù)和一門以上外國(guó)語，能獨(dú)立地從事該領(lǐng)域的半導(dǎo)體材料及器件、微/納米電子材料與器件和集成電路與微系統(tǒng)的教學(xué)、科研和高新技術(shù)開發(fā)工作，做出創(chuàng)造性成果的德、智、體全面發(fā)展的高層次專門人才。

 

二、培養(yǎng)方式與學(xué)習(xí)年限

 

（一）培養(yǎng)方式

 

采取導(dǎo)師負(fù)責(zé)的博士研究生指導(dǎo)小組集體指導(dǎo)的方式，指導(dǎo)小組成員一般由導(dǎo)師在本一級(jí)學(xué)科內(nèi)聘任。

 

本科直博研究生進(jìn)入博士階段的學(xué)習(xí)后，一方面進(jìn)行必要的課程學(xué)習(xí)，夯實(shí)專業(yè)基礎(chǔ)，拓展學(xué)術(shù)視野；另一方面開始著手科學(xué)研究。對(duì)本科直博研究生的課程要重新設(shè)置，充分體現(xiàn)學(xué)科特色和培養(yǎng)需求；課程時(shí)間不超過二年。以資格考核的結(jié)果作為能否進(jìn)入下一階段的依據(jù)。資格考試一般安排在第三學(xué)期期末課程結(jié)束時(shí)進(jìn)行，原則上應(yīng)采取筆試和口試現(xiàn)結(jié)合的方式進(jìn)行考核。內(nèi)容包括思想政治表現(xiàn)、基礎(chǔ)知識(shí)理論和科研潛力等方面。

 

只有通過第一階段的資格考試方可進(jìn)入第二階段培養(yǎng)，即進(jìn)入科學(xué)研究和撰寫博士學(xué)位論文階段，學(xué)習(xí)年限一般為四年；未通過資格考試的可按照同專業(yè)碩士研究生的培養(yǎng)要求進(jìn)行培養(yǎng)，時(shí)間一般為一到二年。

 

本科直博研究生，在科研能力、學(xué)位論文等方面的要求，均應(yīng)高于同專業(yè)四年制博士研究生要求。

 

  (二)學(xué)習(xí)年限

 

本科直博研究生學(xué)習(xí)年限一般為五年至六年。若在五年內(nèi)不能完成預(yù)定的學(xué)業(yè)，可適當(dāng)延長(zhǎng)學(xué)習(xí)年限，但一般不超過六年。

 

三、研究方向

 

1、新型傳感材料與器件

 

2、半導(dǎo)體器件與工藝

 

3、VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)

 

4、智能感知系統(tǒng)

 

5、MEMS技術(shù)

 

6、微納光子器件與系統(tǒng)

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